- Kollaborative Entwicklung von modernen Leistungstransistoren auf der Basis von Silizium und Galliumnitrid
- Konzeption von innovativen Leistungstransistoren mittels TCAD-Bauelemente- und Prozesssimulationen sowie Vorhersage und Optimierung ihrer Eigenschaften
- Entwicklung von Simulationsmodellen und Vergleich mit Charakterisierungsergebnissen
- Bestimmung von Prozessparametern für die Fertigung in unseren Reinräumen
- Bauteilcharakterisierung und ggf. Mitwirkung bei der Entwicklung von Messtechnik zur Bewertung der gefertigten Prototypen
- Kommunikation Ihrer Ergebnisse intern und an Kund*innen
- Wissenschaftliche Profilierung durch Publikationen sowie Unterstützung bei der Akquisition von Forschungsprojekten und Industrieprojekten
Was Sie mitbringen
- Abgeschlossenes Hochschulstudium (Master / Diplom / Doktorat) in Physik, Elektrotechnik oder in verwandten Disziplinen
- Fundierte Kenntnisse der Halbleiterphysik sowie des Entwurfs und Betriebs von Leistungshalbleiterbauelementen auf der Basis von Galliumnitrid und Silizium
- Erfahrung in der Anwendung von TCAD- und Layout-Software
- Gute Kenntnisse der Schaltungstechniken für die Charakterisierung von Leistungshalbleiterbauelementen
- Erfahrung im Bauelementedesign und in der Prozess-/Bauelementesimulation von SJ- und Trench-MOSFETs ist von Vorteil
- Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten und im Team Verantwortung zu übernehmen
- Begeisterung für technisch-naturwissenschaftliche Themen mit starkem Anwendungsbezug
- Fließende Beherrschung der deutschen und englischen Sprache in Wort und Schrift
Was Sie erwarten können
Wir bieten Ihnen ein innovatives Arbeitsumfeld mit vielseitigen Tätigkeiten im Bereich der öffentlich geförderten und industrienahen Forschung und Entwicklung. Sie haben den Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und eigene Ideen und können die Zukunft aktiv mitgestalten. Wir bieten flexible Arbeitszeiten und Unterstützung bei der Vereinbarkeit von Privatleben und Beruf (Mobiles Arbeiten, Gleitzeit- und Teilzeitmodelle etc.). Neben der fachlichen Weiterentwicklung bietet Fraunhofer ein breites Angebot an Fortbildungsmöglichkeiten, um Sie persönlich und Ihre Karriere zu unterstützen (Kollaborations- und Kommunikationsfähigkeiten, Projekt- und Teamleitung etc.).
Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.
Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle ist zunächst auf zwei Jahre befristet und kann auch in Teilzeit besetzt werden. Eine langfristige Zusammenarbeit ist jedoch erwünscht. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen richten sich nach dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD).
Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft.
Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann bewerben Sie sich jetzt online mit Ihren aussagekräftigen Bewerbungsunterlagen. Wir freuen uns darauf, Sie kennenzulernen!
Fachliche Fragen zu dieser Stelle beantwortet Ihnen gerne:
Herr Dr. Michael Mensing
Telefon: +49 (0) 4821 17-4331
Fragen zum Recruiting Prozess beantwortet Ihnen gerne:
Herr Bernd Kemmer
Telefon: +49 (0) 4821 17-4112
Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT www.isit.fraunhofer.de
Kennziffer: 30365
Bewerbungsfrist: 30.06.2022